سلف و خازن در تکنولوژی 180 نانو متر TSMC 180 nm ADS

[mojtabavahdat]

سلام خدمت تمام دوستان
یک چند وقتی دارم رو پروژه UWB LNA کار میکنم .
در مورد خازن از نوع MIM تو این تکنولوژی یعنی خازن صفحه ای متال عایق متال که در لایه های مختلف ویفر ساخته میشه که شما با انتخاب مقدار طول و عرض صفحه فلزی میتونید ظرفیت خازن رو تغییر بدین که حداکثر 30 میکرو در 30 میکرو هست تقریبا1پیکو فاراد.
در مورد سلف هم شما سه گزینه دارین که یکی قطر سیم است که عددهای محدودی داره برای انتخاب دوم مقدار دور سیم پیچ هست و سوم شعاع سیم پیچ پیچیده شده.اولی w دومیnr,سومی rad نام داره در نرم افزار ADS که با تغییر اینا میتونید مقدار سلف رو تغییر بدین ولی بازم حداکثر داره فک کنم تا 3nH.

حلا مشکل من و حل توسط اساتید.
من تو مدار LNA ام مقادیری دارم که بیشتر از مقدر حداکثر سلف و خازن هست راه کاری دارین برای این موضوع مثلا 10nH یا 7pf ؟؟؟
من تو یک انجمن خارجی دیدم گفته که سلف خازن هارو با هم موازی سری کنید تا مقدار مورد نظر به دست بیاد(البته من انجام دادم ولی فکر نکنم درست باشه) من مدارم رو هواست
در مورد پایه سوم رو سلف خازن RF در همین تکنولوزی هم اگر توضیح بدین ممنون میشم یکی گفته زمینش کن ، یکی گفته بده تغذیه باکی مدار

ممنون از دوستان