@};- @};-سلام خدمت همگی دوستان @};- @};-
در طراحی مدارات بالاست (لامپ کم مصرف)برای توان های پایین از ترانزیستورهای BJT با شماره MJE13003 استفاده میشه که با بالارفتن توان MJE13005- MJE13007 ونهایتا 13009 MJE بکار میره (لازمه بگم که بعضی از المانهای دیگه مثل خازن دوسر فیلامان وخازن کوپلاژ و خازن صافی وچک ها نیز بزرگ میشند)
اما بحث من در مورد ترانزیستور هاست این نوع مدارت با ترانزیستورهای BJT بیشتر در لامپ های کم مصرف وبالاست های دوبل ساخت داخل بکار میرند ولی در بالاست های خارجی( چینی شرکت های معتبر) از ترانزیستور MOSFET استفاده میشه مثل IRF740

در پست زیر تفاوت BJT و MOSFET گفته شده
http://www.eca.ir/forum2/index.php?topic=7696.0
به نظر میرسه که MOSFETخیلی بهتر از BJT باشه ولی با توجه به قیمت برابر 13009 وIRF740 وهمچنین جریان تقریبا برابر چرا برای ساخت بالاست با توان بالا از 13009 استفاده میشه؟؟؟ :eek:
در طراحی مدارات بالاست (لامپ کم مصرف)برای توان های پایین از ترانزیستورهای BJT با شماره MJE13003 استفاده میشه که با بالارفتن توان MJE13005- MJE13007 ونهایتا 13009 MJE بکار میره (لازمه بگم که بعضی از المانهای دیگه مثل خازن دوسر فیلامان وخازن کوپلاژ و خازن صافی وچک ها نیز بزرگ میشند)
اما بحث من در مورد ترانزیستور هاست این نوع مدارت با ترانزیستورهای BJT بیشتر در لامپ های کم مصرف وبالاست های دوبل ساخت داخل بکار میرند ولی در بالاست های خارجی( چینی شرکت های معتبر) از ترانزیستور MOSFET استفاده میشه مثل IRF740

در پست زیر تفاوت BJT و MOSFET گفته شده
http://www.eca.ir/forum2/index.php?topic=7696.0
به نظر میرسه که MOSFETخیلی بهتر از BJT باشه ولی با توجه به قیمت برابر 13009 وIRF740 وهمچنین جریان تقریبا برابر چرا برای ساخت بالاست با توان بالا از 13009 استفاده میشه؟؟؟ :eek:
دیدگاه