اطلاعیه

Collapse
No announcement yet.

آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

Collapse
X
Collapse
 
  • صفحه of 1
  • فیلتر
  • زمان
  • Show
Clear All
new posts
قبلی template بعدی
    #1

    آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

    در حال طراحی و ساخت یک موتور جوش ( همزمان با نقطه جوش و برش پلاسما) هستم . قلب و هسته اصلی این نوع مبدل ها و هر منبع تغذیه مشابه در سال های اخیر عموما ماسفت و آی جی بی تی هستند . کلا به این نتیجه رسیدم که این نوع مدارات خفن با آزمون و خطا و شماتیک آماده قابل پیاده سازی نیست . قبلا ها هم تجربه های مشابهی داشتم مثلا اگر یک درایور استپر موتور 20 آمپر رو مهندسی معکوس کرده و دوباره تولید کنیم خواهیم دید که مدار بزور 5-6 آمپر میده . و علت این نقص میتونه از یک مقاومت 5 تومنی یا یک خازن معیوب و یا از آی سی های تقلبی باشه . این تاپیک رو ایجاد کردم که اطلاعاتمون رو رو همدیگه بزاریم انشاالله مشکلات یکی یکی از پیش رو برداشته بشه .


    و آما

    با یک مقدمه سریع شروع میکنم تا بعد

    GATE DRIVE VS BASE DRIVE


    اشتباه خود من در زمان شروع کار با ماسفت و آی جی بیتی در این بود که دوتا مفهوم بسیار متفاووت گیت درایو و بیس درایو رو یکسان در نظر میگرفتم

    در حقیقت ماس فت ها و آی جی بی تی ها برای هدایت نیاز مند اعمال ولتاژ بین گیت و سورس هستند .






    یعنی اصلا اتصال گیت به ماس فت توسط یک لایه اکسید صورت میگیره و اصولا باید شدت جریان گیت درایو صفر ولت باشد .ولی در عمل در حد میکرو آمپر نشتی دارد .بنا بر این این نوع درایو کاملا بر خلاف درایو ترانزیستور ها و تریستور ها است . در ترانزیستور ها ما یک بتا داشیم که شدت جریان عبوری از بیس ضربدر بتا میشد شدت چریان عبوری از کولکتور به امیتور .


    شکل زیر اختلاف اصلی گیت درایو و بیس درایو رو نشون میده .






    در حقیقت معادل گیت درایو و بیس درایو مثل شکل زیر است


    تنها موردی که همه آدما یقین دارن خدا در حقش زیاد لطف کرده
    داشتن عقله زیادتر از دیگر آدم ها است
    برچسب ها: آی, اولیه, igbt, mosfet or, بی, پارامتر, تی, جی, درایو, طراحی, ماسفت, های
    #2
    پاسخ : آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

    سلام علی اقا مرسی من از عکس اخر فهمیدم برای درایور بیس ترانزیستور جریان مستقیم باید به بیس ترانزیستور بدیم تا جریان از دیود بیس امیتر عبور کنه
    ولی گیت فت بدلیل خاصیت خازنی که باید شارژ شه بعد تخلیه و همینطور تا آخر تا فت قطع و اشباع کامل بره
    ولی بیس ترانزیستور بدلیل جریان احتیاجی به خالی شدن نداره درست فهمیدم؟


    علی اقا خدا خیرت بده لااقل یک کاری کن بتونیم یک دستگاه اینورتر جوش سوئیچینگ خانگی درست کنیم یا اگرم نشد لااقل بتونیم همین مدارات جوش اینورتری رو تحلیلش کنیم و یکسری چیزها یاد بگیریم در زمینه سوئیچینگ

    مثل پیچیدن ترانس پالس یا ترانس اصلی
    کار با ای سی 3525 یا 494
    غیره


    دیدگاه

      #3
      پاسخ : آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

      Power MOSFET Internal Structure

      ادامه آموزش رو با برسی ساختار درونی ماسفت شروع میکنم .و سپس به ساخار درونی IGBT ها خواهیم پرداخت .

      مقدمه

      شاید افراد 10 سال با ماس فت ها کار کنند بدون اینکه احتیاج داشته باشند تا راجع به درون موس فت چیزی بداند . ولی یک دلیل خیلی مهم باعث میشه که من به شخصه به ساختار داخلی ماس فت ها علاقه داشت باشم . و اون به دلیل وجود انگل ها در جسم ماس فت ها است .





      تا حالا من به دونوع ساختار سه بعدی ماس فت ها رسیدم . ساختار شش ضلعی یا HEXFET معروف به سنگر و ساختار ویفری معروف به دو وجهی .


      شکل زیر ساختار دو جهی رو نشون میده


      و شکل زیر ساختار سنگر یا شش ضلعی که همون HEXFET رو نشون میده






      اجزای انگلی

      شکل زیر اجزا انگلی یک ماس فت رو نشون میده . یک jfet یک ترانزیستور و چندین خازن و چندین مقاومت و چند دیود زنر و چند دیود در شکل زیر قابل مشاهده است . دقت کنید این اجزا انگل هستند و خود ماس فت جدا از این انگل ها هستند .



      اگر از این اجزا انگلی بگذریم و ناگزیر باید بگذریم چون برسی کامل اینها در توان اینجانبان نیست . و شاید کمتر از 20 درصد از کل عمل کرد عمومی یک ماسفت رو تغییر بده . بنا بر این چشها را میبندیم و مستقیم میروم سراغ خود ماس فت . البته اگر دوستان عزیز مطالعات یا تجربیات خاصی راجب همین انگل ها دارد میتونن اینجا بیان کنن .







      تنها موردی که همه آدما یقین دارن خدا در حقش زیاد لطف کرده
      داشتن عقله زیادتر از دیگر آدم ها است

      دیدگاه

        #4
        پاسخ : آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

        ON-RESISTANCE


        مقاومت حالت هدایت

        مقاومت حالت هدایت یا مقاومت روشن یا مقاومت درین به سورس در حالت اشباع معولا برای ماس فت ها در دیتا شیت نوشته میشه .



        که مقادیر مقاومت ها طبق شکل زیر است . شکل بقدر کافی گویا است فقط یک توضیحی راجب مقاومت Rwcml بدم که مجموع چند مقاومته ازجمله مقاومت پین ها و ... ( بقیش رو هنوز متوجه نشدم هر کی میدونه بگه ) البته تو ولتاژهای بالا این مقاومت کم اهمیت ولی در ولتاژهی پاییین تاثیر گذار است .


        کد:
        Rwcml= Sum of Bond Wire resistance, the
Contact resistance between the source
and drain Metallization and the silicon,
metallization and Leadframe
contributions. These are normally
negligible in high voltage devices but can
become significant in low voltage devices.



        در هر ولتاژی این مقاومت ها تغییر میکنن . یعنی در هر ولتاژ بعضی از مقاومت ها فوق جزو مقاومت تاثیر گذار حساب میشه و بقیه فرعی است. طبق جدول زیر



        تنها موردی که همه آدما یقین دارن خدا در حقش زیاد لطف کرده
        داشتن عقله زیادتر از دیگر آدم ها است

        دیدگاه

          #5
          پاسخ : آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

          جالبه
          راه در جهان یکی است و ان راه راستی است

          دیدگاه

            #6
            پاسخ : آموزش اولیه ماسفت و آی جی بی تی ( درایو و پارامتر های طراحی) MOSFET/ IGBT

            سلام دوستان ببخشید من میدونم این پست قدیمیه .

            اما ممکنه این پست رو ادامه بدین ؟
            I'm going to
            RWTH Aachen
            University

            دیدگاه

            قبلی template بعدی
            لطفا صبر کنید...
            X