اطلاعیه

Collapse
No announcement yet.

کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

Collapse
X
Collapse
 
  • صفحه of 1
  • فیلتر
  • زمان
  • Show
Clear All
new posts
قبلی template بعدی
    #1

    کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

    با سلام و احترام.
    ببخشید در مدار زیر علت قرار دادن دیود های شاتکی در گیت ماسفت هایی که برای درایو موتور BLDC استفاده میشوند چیست؟



    در تصویر زیر مدار داخلی پایه های 19، 20 و 21 را قرار داده ام که همان مدار پوش پول هست.


    با تشکر .
    برچسب ها: mosfet, برای, درایو, دیود, شاتکی, کاربرد
    #2
    پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

    نوشته اصلی توسط saati.sms نمایش پست ها
    با سلام و احترام.
    ببخشید در مدار زیر علت قرار دادن دیود های شاتکی در گیت ماسفت هایی که برای درایو موتور BLDC استفاده میشوند چیست؟
    در تصویر زیر مدار داخلی پایه های 19، 20 و 21 را قرار داده ام که همان مدار پوش پول هست.
    با تشکر .
    با سلام و احترام
    خروجیهای 19 و 20 و 21 در این آی سی توتم-پل میباشند و برای اینکه اگر شما بعنوان المان سوییچ از ترانزیستور NPN استفاده کردید در زمان قطع به سرعت عمل نماید خروجی به گونه ایی طراحی شده که میتواند برای زمان قطع از بیس جریان هم بکشد. همانطور که در دیتاشیت ذکر شده در صورتیکه از ماسفت استفاده شود و جریان منفی از 50 میلی آمپر تجاوز کند باید از دیود استفاده شود.
    مقاومت نیز جهت خنثی نمودن نوسان ناشی از ظرفیت خازنی ورودی ماسفت میباشد.
    موفق باشید.

    دیدگاه

      #3
      پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

      نوشته اصلی توسط evergreen نمایش پست ها
      با سلام و احترام
      خروجیهای 19 و 20 و 21 در این آی سی توتم-پل میباشند و برای اینکه اگر شما بعنوان المان سوییچ از ترانزیستور NPN استفاده کردید در زمان قطع به سرعت عمل نماید خروجی به گونه ایی طراحی شده که میتواند برای زمان قطع از بیس جریان هم بکشد. همانطور که در دیتاشیت ذکر شده در صورتیکه از ماسفت استفاده شود و جریان منفی از 50 میلی آمپر تجاوز کند باید از دیود استفاده شود.
      مقاومت نیز جهت خنثی نمودن نوسان ناشی از ظرفیت خازنی ورودی ماسفت میباشد.
      موفق باشید.
      شما با توجه به این قسمت از دیتاشیت این موضوع رو بیان کردید.


      ولی چیز که من متوجه نمیشم این هست که در طبقه توتم پل یا ترانزیستور آبی روشن است یا سبز. اگر آبی روشن شود ولتاژ کاتد دیود شاتکی 0 میشود که باعث میشود دیود شاتکی روشن نشود. و اگر ترانزیستور سبز روشن شود کاتد دیود شاتکی VCC ( یا Vm ) می شود که دیود شاتکی در بایاس معکوس هست و از آن جریانی عبور نمی کند.
      الان چجوری باید عملکرد دیود شاتکی رو توجیح کنیم ؟
      ممنون.

      دیدگاه

        #4
        پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

        نوشته اصلی توسط saati.sms نمایش پست ها
        شما با توجه به این قسمت از دیتاشیت این موضوع رو بیان کردید.


        ولی چیز که من متوجه نمیشم این هست که در طبقه توتم پل یا ترانزیستور آبی روشن است یا سبز. اگر آبی روشن شود ولتاژ کاتد دیود شاتکی 0 میشود که باعث میشود دیود شاتکی روشن نشود. و اگر ترانزیستور سبز روشن شود کاتد دیود شاتکی VCC ( یا Vm ) می شود که دیود شاتکی در بایاس معکوس هست و از آن جریانی عبور نمی کند.
        الان چجوری باید عملکرد دیود شاتکی رو توجیح کنیم ؟
        ممنون.
        با سلام مجدد
        دلیل اینکه چنین سوالی براتون پیش میاد اینه که مدار را در حالت پایدار DC تحلیل میکنید. توجه کنید که ورودی بیس ترانزیستورهای توتم-پل مربعی و با فرکانس بالا میباشد. از طرفی ظرفیت خازنی کلکتور و گیت ماسفت را هم باید در نظر بگیرید. در اینحالت در خروجی توتم-پل امکان ایجاد Undershoot وجود دارد که میتواند دیود را به بایاس مستقیم ببرد.
        موفق باشید.

        دیدگاه

          #5
          پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

          نوشته اصلی توسط evergreen نمایش پست ها
          با سلام مجدد
          دلیل اینکه چنین سوالی براتون پیش میاد اینه که مدار را در حالت پایدار DC تحلیل میکنید. توجه کنید که ورودی بیس ترانزیستورهای توتم-پل مربعی و با فرکانس بالا میباشد. از طرفی ظرفیت خازنی کلکتور و گیت ماسفت را هم باید در نظر بگیرید. در اینحالت در خروجی توتم-پل امکان ایجاد Undershoot وجود دارد که میتواند دیود را به بایاس مستقیم ببرد.
          موفق باشید.
          ممنون مهندس.
          ببخشید فقط سوالی که دارم این هست که چرا این نوع مدار را برای قسمت TOP DRIVER استفاده نکرده؟ البته بخش TOP DRIVER مدارش به صورت توتم پل نیست بلکه open collector هست.
          اگر امکان دارد مرجعی برای درایو MOSFET ها و BJT های قدرت معرفی کنید. چند تا سایتی که دیدم توتم پل رو داشتن ولی جامع و کامل نگفته بودن و در هیچ کدام از دیود شاتکی هم استفاده نشده بود.

          دیدگاه

            #6
            پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

            نوشته اصلی توسط saati.sms نمایش پست ها
            ممنون مهندس.
            ببخشید فقط سوالی که دارم این هست که چرا این نوع مدار را برای قسمت TOP DRIVER استفاده نکرده؟ البته بخش TOP DRIVER مدارش به صورت توتم پل نیست بلکه open collector هست.
            اگر امکان دارد مرجعی برای درایو MOSFET ها و BJT های قدرت معرفی کنید. چند تا سایتی که دیدم توتم پل رو داشتن ولی جامع و کامل نگفته بودن و در هیچ کدام از دیود شاتکی هم استفاده نشده بود.
            با سلام مجدد
            https://www.uplooder.net/files/58643b0248a85700ffba9c8b1d9d014e/Fundamentals-of-MOSFET-and-IGBT-Gate-Driver-Circuits.pdf.html

            موفق باشید

            دیدگاه

              #7
              پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

              نوشته اصلی توسط evergreen نمایش پست ها
              با سلام مجدد
              https://www.uplooder.net/files/58643b0248a85700ffba9c8b1d9d014e/Fundamentals-of-MOSFET-and-IGBT-Gate-Driver-Circuits.pdf.html

              موفق باشید
              ممنون مهندس جان.

              دیدگاه

                #8
                پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

                نوشته اصلی توسط evergreen نمایش پست ها
                با سلام مجدد
                https://www.uplooder.net/files/58643b0248a85700ffba9c8b1d9d014e/Fundamentals-of-MOSFET-and-IGBT-Gate-Driver-Circuits.pdf.html

                موفق باشید

                سلام مهندس.
                توی آی سی MC33035 بخش top driver به صورت open collector طراحی شده.
                میخواستم بدونم در چنین مداراتی علت عدم تقارن بخش top و bottom چی میتونه باشه؟
                و سوال اصلی که داشتم این هست که بخش top برای عملکرد درست باید توسط P-MOS راه اندازی شود. چون وقتی ترانزیستور های آبی رنگ روشن بشن خروجی شون صفر میشود و باید در P-MOS سورس به VCC وصل شده و وقتی گیت صفر شد P-MOS شروع به روشن شدن بکند.
                الان ماسفت هایی که من تهیه کردم N-MOS هستند.
                مدار زیر رو برای استفاده از N-MOS طراحی کردم. اگر امکان داره یه بررسی بفرمایید و اگر مشکلی داره بفرمایید تا اصلاحش کنم و اگر راه مناسب تری رو سراغ دارید ممنون میشم راهنماییم کنید.
                ممنون.




                دیدگاه

                  #9
                  پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

                  نوشته اصلی توسط saati.sms نمایش پست ها
                  سلام مهندس.
                  توی آی سی MC33035 بخش top driver به صورت open collector طراحی شده.
                  میخواستم بدونم در چنین مداراتی علت عدم تقارن بخش top و bottom چی میتونه باشه؟
                  و سوال اصلی که داشتم این هست که بخش top برای عملکرد درست باید توسط P-MOS راه اندازی شود. چون وقتی ترانزیستور های آبی رنگ روشن بشن خروجی شون صفر میشود و باید در P-MOS سورس به VCC وصل شده و وقتی گیت صفر شد P-MOS شروع به روشن شدن بکند.
                  الان ماسفت هایی که من تهیه کردم N-MOS هستند.
                  مدار زیر رو برای استفاده از N-MOS طراحی کردم. اگر امکان داره یه بررسی بفرمایید و اگر مشکلی داره بفرمایید تا اصلاحش کنم و اگر راه مناسب تری رو سراغ دارید ممنون میشم راهنماییم کنید.
                  ممنون.
                  با سلام مجدد
                  وقتی خروجی اپن کلکتور باشه شما قادر خواهید بود مقاومت پول آپ را به هر سطح ولتاژی که نیاز دارید وصل نمایید و محدود به ولتاژ تغذیه IC نخواهید بود.
                  مزیت دیگر اپن کلکتور اینه که شما میتوانید چند خروجی اپن کلکتور را به یک خط وصل کنید و اگر تنها یکی از خروجیها فعال شد قادر است که با کشیدن جریان، ولتاژ خط را به سمت ولتاژ زمین تغییر دهد.
                  در مورد مدارتان هم من متوجه نشدم که چگونه است چون شما فقط زیر Q2 و Q3 یک خط کشیده اید و نوشته اید MC33152.
                  موفق باشید.

                  دیدگاه

                    #10
                    پاسخ : کاربرد دیود شاتکی برای درایو MOSFET

                    نوشته اصلی توسط evergreen نمایش پست ها
                    با سلام مجدد
                    وقتی خروجی اپن کلکتور باشه شما قادر خواهید بود مقاومت پول آپ را به هر سطح ولتاژی که نیاز دارید وصل نمایید و محدود به ولتاژ تغذیه IC نخواهید بود.
                    مزیت دیگر اپن کلکتور اینه که شما میتوانید چند خروجی اپن کلکتور را به یک خط وصل کنید و اگر تنها یکی از خروجیها فعال شد قادر است که با کشیدن جریان، ولتاژ خط را به سمت ولتاژ زمین تغییر دهد.
                    در مورد مدارتان هم من متوجه نشدم که چگونه است چون شما فقط زیر Q2 و Q3 یک خط کشیده اید و نوشته اید MC33152.
                    موفق باشید.
                    سلام مجدد.
                    ممنون از توضیحاتتون.
                    اون Q2 و Q3 در واقع مدار totem pole هستن که داخل آی سی MC33152 هست و درایور ماسفت هستن.
                    من میخواستم مدار رو این طوری طراحی کنم که وقتی Q1 ( که مثلا یکی از اون سه ترانزیستور open collector هست ) روشن شد ، کاتد اون دیود مادون قرمز به زمین وصل شود و فتوترانزیستور رو روشن کند و فتوترانزیستور در ناحیه اشباع قرار بگیرد و ولتاژ امیتر آن حدود 5 ولت شود و به این ترتیب Q2 که ترانزیستور داخل گیت درایور هست روشن شده و به دنبال آن N-MOS نیز روشن شود.
                    و وقتی Q1 خاموش شد فتوترانزیستور نیز خاموش میشود و R1 و R2 سری میشن و ترانزیستور Q3 روشن میشود و N-MOS از طریق Q3 خاموش میگردد.
                    به نظرتون این روش درسته ؟
                    و اینکه ایا روش بهتری وجود دارد؟
                    ممنون.

                    دیدگاه

                    قبلی template بعدی
                    لطفا صبر کنید...
                    X