hfe=ic/ib ضریب تقویت جریان = جریان کلکتور تقسیم بر جریان بیس ....................
hfe min حداقل ضریب تقویت جریان ترانزیستور
hfe max حداکثر ضریب تقویت جریان ترانزیستور
....................HELP ME GOD ...........................
hfe=ic/ib ضریب تقویت جریان = جریان کلکتور تقسیم بر جریان بیس ....................
hfe min حداقل ضریب تقویت جریان ترانزیستور
hfe max حداکثر ضریب تقویت جریان ترانزیستور
خب دوست عزیز چرا برای اینکه ترانزیستور در ناحیه اشباع کار کند محاسبه برحسب hfe(min)است؟؟
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
حالت اشباع زمانی به وجود میاد که با افزایش جریان در بیس ترانزیستور دیگر جریان کلکتور تغییر نکند واگر ولتاژ وجریان بیس بیش از حد شود ترانزیستور می سوزد بنابراین با توجه به افزایش جریان بیس وثابت ماندن جریان کلکتور پس خود به خود با توجه به فرمول hfe=ic/ib بتا یا همان hfe به سمت مینیمم سیر می کند که دراین حالت ولتاژ کلکتور امیتر ترانزیستور تقریبا 2. ولت است.............در ضمن هیچوقت بتای چند ترانزیستوراز یک نوع(شماره) دقیقا یکسان نیست مثلا یکی 100 اون یکی 105 و........
به همین خاطر مدارت ما بگونه باشند که به بتای ترانزیستور وابستگی کمتر باشند در غیر اینصورت با تعویض ترانزیستور با هم نوع خودش در مدار اشفتگی به وجود میاد.............
در ضمن با اوومتر دیجیتال میشه بتا را اندازه گرفت تو قسمتhfe
....................HELP ME GOD ...........................
حالت اشباع زمانی به وجود میاد که با افزایش جریان در بیس ترانزیستور دیگر جریان کلکتور تغییر نکند واگر ولتاژ وجریان بیس بیش از حد شود ترانزیستور می سوزد بنابراین با توجه به افزایش جریان بیس وثابت ماندن جریان کلکتور پس خود به خود با توجه به فرمول hfe=ic/ib بتا یا همان hfe به سمت مینیمم سیر می کند که دراین حالت ولتاژ کلکتور امیتر ترانزیستور تقریبا 2. ولت است.............در ضمن هیچوقت بتای چند ترانزیستوراز یک نوع(شماره) دقیقا یکسان نیست مثلا یکی 100 اون یکی 105 و........
به همین خاطر مدارت ما بگونه باشند که به بتای ترانزیستور وابستگی کمتر باشند در غیر اینصورت با تعویض ترانزیستور با هم نوع خودش در مدار اشفتگی به وجود میاد.............
در ضمن با اوومتر دیجیتال میشه بتا را اندازه گرفت تو قسمتhfe
ممنون دوست عزیز اما نگفتید با اوومتر دیجیتال کدام hfe اندازه گیری می شه ؟
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
همینطور که معلوم شد بتا (dc) وابسته به جریان بیس وکلکتوره وبا توجه به مدار ی که ترانزیستور را تغذیه می کند بدست میاد به هر حال باید بتا د ر چارچوب مینیمم وماکزیمم بتای ترانزیستور باشه............بنابراین بهترین راه دیتا شیت خود ترانزیستور است
.......... مثلا ترانزیستور bd 712 را که تو دیتاشیت بین 40 تا 400 هست من با اوومتر گرفتم 58 الی 60 بود
....................HELP ME GOD ...........................
دوستان
برای مثال hfe(min)=20 وic(sat)=1mA باشد
ib=ic(sat)/hfe
ib=50uA می شود
همان طور که می دانیم برای رفتن به ناحیه اشباع جریان بیس باید در این مثال 50UA یا بیشتر از اون باشه حال اگر جریان بیس رو 70UA در نظر بگیریم در این صورت hfe=14.28 می شه خب این یعنی چی ؟؟؟این بتا از hfe دیتا شیت ما هم که کمتر شده...؟؟؟
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
تا جایی که می دونم ربط زیادی نداره.... بتا که از مینیم تا ماکزیمم هست این مقدار برای زمانی که ترانزیستور به صورت خطی وفعال است وتقویت کنندگی دارد نه در حالت اشباع......
به هر حال تا حدودی جواب خودت را دادی (چون ما گفتیم با افزایش جریان بیس بیش از حد دیگر جریان کلکتور تغییر نمی کند ) این بدان معنا هست که hfe که ضریب تقویت جریانه داره کمتر میشه که دیگه جریان کلکتور تغییر نمیکنه پس قاعدتا طبق فرمول شما هی بتا کمتر میشه واز طرف دیگه با افزایش ولتاژ بیس (که با افزایش جریان بیس)ترانزیستور به سمت خراب شدن میره شاید خیلی قبل از انکه بتا به سمت 0 بره ترانزیستور به رحمت الکترونیک می پیوندد......... و اینکه B در ناحیه قطع به سمت بی نهایت سیر میکنه برعکس اشباع
....................HELP ME GOD ...........................
سلام
دوست عزیز اول تشکر کنم ازت که واقعا منو راهنمایی کردی مرسی
اما یک مشکل دارم مثلا من یک ترانزیستورBC338 دارم IC=800mA وhfe(min)=100 حال اگر من یک بار داشته باشم که IC=100mA باشد IB=100mA/100=1mA الان با توجه به محاسبات از جریان بیس بیشتر از یک میلی آمپر ترانزیستور به حالت اشباع میره درسته اما در حقیقت این طور نیست چون با افزایش جریان بیس جریان کلکتور تغییر می کند حالا سوال من اینه این جریان IC(SAT) رو چطوری از دیتاشیت به دست آوریم
ومن دیتا شیت ترانزیستور رو پیوست می کنم
و دوست عزیز منظور از VBE(sat)=2 چیه..؟واینکه چه فرقی با VBE داره؟؟و مقدار VBE چقدره؟؟
http://www.adrive.com/public/eeba00a3f793949a32a9f7ef45ff1c8a238c9eada7be344038 e55975d3817844.html
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
طبق دیتا شیت جریان استاندارد کلکتور 800 میلی امپر هست وجریان استاندارد بیس 100 میلی امپر
1- نکته اول که خیلی باید توجه کرد توان ترانزیستوره که 625 میلی وات (ولتاژ کلکتور امیتر ضربدر جریان کلکتور) که در طراحی نباید توان بیشتری از 625 میلی وات از ترانزیستور کشید وگرنه ترانزیستور میسوزد
2-ic sat یعنی جریان اشباع کلکتور(ic sat > ic ) وشما با توجه به مدار میتونی حسابش کنی...هرگاه جریان کلکتور از جریان اشباع کلکتور بیشتر بود ترانزیستور در ناحیه اشباع قرار گرفته و برعکس واگر اشتباه نکنم همون در دیتا شیت هستicbo
3- vbe sat ولتاژ بیس امیتر در زمانی که ترانزیستور اشباع هست باید 2 ولت باشد اگر بیشتر شود طبق چیزهای که قبلا گفتیم ترانزیستور میسوزه vbe=vb-ve
4-کی گفته با جریان بیس 1میلی وزیادتر اشباع میشه با این جریان بتا میشه 100 پس تقویت شده....با توجه به مداری که طراحی کردی تا 100 میلی وحداکثر 200 میلی میتونی بدی... اینا تاحدودی گیج کننده هست
بهتره شما مدار تون را بزاریدکه معلوم شه چه نوع بایاس تا اونوقت تحلیل کنیم وتمام پارامترها را برات در میارم فقط اینطور میشه مشکل را حل کرد
....................HELP ME GOD ...........................
سلام
دوست عزیز منظور از جریان استاندارد بیس 100 میلی امپر چیه؟ یعنی حداکثر می تونیم 100mA به بیس بدیم؟؟؟راستی تو دیتاشیت نوشته IBM=200mAخب این یعنی چی؟
ic sat یعنی جریان اشباع کلکتور(ic sat > ic )یعنی چی ؟ یعنی برای بردن در ناحیه اشباع از 800mA باید بیشتر کنیم..؟؟
کی گفته با جریان بیس 1میلی وزیادتر اشباع میشه با این جریان بتا میشه 100 پس تقویت شده دوست عزیز این یک فرضیه بود که حل شد
و اینکه این ترانزیستور vbe=1.2 اما من تو دیتاشیت ندیدمش چه طوری تو دیتاشیت پیداش کنم؟؟
pc=ic*vce
pc=800*.7=560
واینکه دیتاشیت نوشته IC = 500 mA; IB = 50 mA بعد vbe(sat)=2 منظور از جریان بیس وجریان کلکتور چیه؟
دوست عزیز این مقاومت R3 رو برای چی می گذارند و اینکه تو دیتا شیت از کجا بفهمیم که VCC=12 تا چند ولت می تونیم بدیم
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
R3- مقاومت مقسم ولتاژ (کار بخصوصی نمی کنه ) که کاربردش تو برگه نوشته
PC =VCE*IC توان ترانزیستور که تحت هر شرایطی باید کمتر از 625 میلی وات (توان ترانزیستور دیتا شیت)باشه...به گونه مدار باید طراحی شود که ازاین مقدار فراتر نره چون ترانزیستور میسوزه(ناحیه فعال) اگر فرض کنیم جریان کلکتور 800 میلی برابر با 8. امپر باشه باید 625.=8.*VCE پس ولتاژ کلکتور امیتر حداکثر باید78. ولت باشه.... حال اگر IC=20ma باشد انگاه ولتاژ کلکتور امیتر حداکثر می تواند 32 ولت باشه البته باید به حداکثر ولتاژ مجاز کلکتور(دیتا شیت) هم توجه کرد که بیشتر از ان نشود اگر جریان بیس را در نظر نگیریم...
پس نباید همینجوری پارامترها با هم قاطی کرد (یعنی برای بردن در ناحیه اشباع از 800mA باید بیشتر کنیم :mrgreen:حتما به این معنا نیست )
حرف M در پارامترها به معنی حداکثر هست IBM حداکثر جریان بیس و.....
در کل شما برای طراحی ابتدایی نیاز به حداکثر ولتاژ کلکتور و جریان کلکتور وتوان ترانزیستور وفرکانس وبتاو..
....................HELP ME GOD ...........................
سلام دوست عزیز مرسی بابت زحمتون یعنی واقعا مرسی چند تا جواب هامو گرفتم اما چند تا سوال دیگه پیش امد
1-دوست عزیز در مثالتون vce=0.2 گرفتید در صورتی که در دیتاشیت vce=0.7 بود دلیل خاصی داشت؟
2-پس قضیه این که یک زمان vbe=0.7 می گرفتیم برای ناحیه فعال بود؟
3-خب دوست عزیز دلیل مقاومتR3 رو نگفتید چون این مقاومت اختیاریه...؟؟؟
هرگاه زندگی را جهنم دیدی, سعی کن پخته بیرون آیی, سوختن رو همه بلدند
1-دوست عزیز در مثالتون vce=0.2 گرفتید در صورتی که در دیتاشیت vce=0.7 بود دلیل خاصی داشت؟ اون در حالت ماکزیمم و در جریان کلکتور 500 میلی و جریان 50 میلی بیس هست ودر کل شما همون 0 بگیرید وزیاد تاثیری نداره
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2-پس قضیه این که یک زمان vbe=0.7 می گرفتیم برای ناحیه فعال بود؟ببن عزیزم اینم ربطی نداره شما مدارتون چه در حالت فعال وچه در حالت اشباع وچه در حالت قطع باید vbe <2 باشه ..... حالا می خوای مدار را طور طراحی کن که ولتاژ بیس امیتر 7. ولت باشه ولی خروجی اشباع باشه یا .......
3-خب دوست عزیز دلیل مقاومتR3 رو نگفتید چون این مقاومت اختیاریه...؟؟؟ گفتم و طبق فرمولی که نوشته شد فقط یه مقسم ولتاژ که بیس را بایاس میکنه که می تونی حذفش کنی چون کار خاصی به اون صورت انجام نمیده
....................HELP ME GOD ...........................
دیدگاه