کمک برای طراحی مدار

[nimooly]

با سلام به دوستان
مدار زیر یک مدار برای تغذیه برای یک بار 24 ولتی میباشد که به خروجی ای سی متصل است.

http://cdn.persiangig.com/preview/oH1Ma8uYzl/%D9%8F%D9%85%D8%AF%D8%A7%D8%B1.png

میشه کمک کنید به این چند سوال جواب بدبن ؟
1. دلیل وجود دیود D1
2. بازه مناسب ولتاژ و توان برای این دیود ؟ دلیل ؟
3. بازه مناسب مقاومت و توان برای R2 ؟ دلیل ؟
4. اگر بار خروجی القایی باشه چه قطعه ای به مدار اضافه باید کرد ؟ چه رنجی ؟ به چه دلیل ؟

ممنون میشم راهنمایی کنید...

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

سلام
دیود D1 از نوع زنر برای محافظت از گیت ترانزیستور در مقابل افزایش Vgs بیش از حد MAX.
مقدار D1 کمتر از مقدار Vgs ماکزیمم و بیشتر از Vgs آستانه انتخاب شود (مثلاً 17 ولت، با توجه به Vgs مورد نظر طراح)
مقدار R2 نیز بر اساس Vgs مورد نظر طراح و همچنین Id ماکزیمم در Q2، به کمک تقسیم مقاومت قابل محاسبه است.
اگر بار القایی باشد، یک دیود از نوع Fast Recovery یا Schottky به صورت بایاس معکوس دو سر بار قرار بگیرد. مقادیر آن نیز بر اساس ولتاژ و جریان بار انتخاب شود.

[nimooly]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

سلام
دیود D1 از نوع زنر برای محافظت از گیت ترانزیستور در مقابل افزایش Vgs بیش از حد MAX.
مقدار D1 کمتر از مقدار Vgs ماکزیمم و بیشتر از Vgs آستانه انتخاب شود (مثلاً 17 ولت، با توجه به Vgs مورد نظر طراح)
مقدار R2 نیز بر اساس Vgs مورد نظر طراح و همچنین Id ماکزیمم در Q2، به کمک تقسیم مقاومت قابل محاسبه است.
اگر بار القایی باشد، یک دیود از نوع Fast Recovery یا Schottky به صورت بایاس معکوس دو سر بار قرار بگیرد. مقادیر آن نیز بر اساس ولتاژ و جریان بار انتخاب شود.

ممنون از جوابتون
یه سوال دیگه ... برای محاسبه مقاومت R2 . ترانزیستور Q1 رو خاموش فرض میکنیم و ولتاژ روی R1 رو 17 در نظر میگیریم و VgsQ2 رو هم چون به ای سی وصل هست 3.3 میگیریم ؟ درسته ؟

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

ممنون از جوابتون
یه سوال دیگه ... برای محاسبه مقاومت R2 . ترانزیستور Q1 رو خاموش فرض میکنیم و ولتاژ روی R1 رو 17 در نظر میگیریم و VgsQ2 رو هم چون به ای سی وصل هست 3.3 میگیریم ؟ درسته ؟

خاموش و روشن بودن Q1 و Vgs در Q2 تأثیری در نتایج محاسبات ندارند!
Vgs در Q2 بستگی به نوع IC یا مدار درایو آن دارد.

[nimooly]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

خاموش و روشن بودن Q1 و Vgs در Q2 تأثیری در نتایج محاسبات ندارند!
Vgs در Q2 بستگی به نوع IC یا مدار درایو آن دارد.

ممنون متوجه شدم
شرمنده میشه توضیح بدین توان دیود D1 رو چجور باید محاسبه کنم ؟ مثلا اگه ولتاژش رو روی 15 در نظر بگیریم ؟
من VgsQ2 رو 3.3 گرفتم و R2 رو 71 اهم

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

توان از حاصلضرب ولتاژ در جریان به دست میاد. (ولتاژ زنر در جریانی که در شرایط خاص -مثلاً Overshoot- از زنر خواهد گذشت.)
71 اهم؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟
با توجه به شماتیک، محدوده ی تغییرات گیت Q1 میتونه از 4V تا 21.5V تغییر کنه!! تقسیم مقاومت رو جوری انجام بدید تا ولتاژ گیت در این بازه قرار بگیره.

[nimooly]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

توان از حاصلضرب ولتاژ در جریان به دست میاد. (ولتاژ زنر در جریانی که در شرایط خاص -مثلاً Overshoot- از زنر خواهد گذشت.)
71 اهم؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟
با توجه به شماتیک، محدوده ی تغییرات گیت Q1 میتونه از 4V تا 21.5V تغییر کنه!! تقسیم مقاومت رو جوری انجام بدید تا ولتاژ گیت در این بازه قرار بگیره.

71 اهم اشتباه محاسباتی بود ببخشید درستش میشه 33.5k
من میدونم توان میشه جریان در ولتاژ ولی نمیدونم جریان دیود تو حالت اور شووت چی میشه و اصلا از کجا میاد که محاسبه کنم !؟ یه لطف میکنین بگین جریانش اگه ولتاژ اورشووت 19 بگیریم چند میشه ؟
تشکر تشکر

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

مطمئن نیستم.. ولی با توجه به اینکه Overshoot لحظه ای هست، مینیمم توان باید کافی باشه.
ضمن اینکه بعضی ماسفت ها این دیود رو به صورت مجتمع در داخلشون دارند.

[سیدعلی.م]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

مطمئن نیستم.. ولی با توجه به اینکه Overshoot لحظه ای هست، مینیمم توان باید کافی باشه.
ضمن اینکه بعضی ماسفت ها این دیود رو به صورت مجتمع در داخلشون دارند.

این دیود در همه ماسفتها بطور ذاتی بوجود میاد

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

این دیود در همه ماسفتها بطور ذاتی بوجود میاد

اگر به شکل ذاتی به وجود بیاد، پس نباید نگرانی از بابت ولتاژ روی گیت داشته باشیم و این بحث منتفیست! ولی اینطور نیست..
در مدارات سوییچینگ با طراحی با کیفیت، دو دیود زنر به صورت سر به سر و با اتصال آند هایشان به گیت و سورس لحاظ می شود.

اگر اطلاعات دقیقی غیر از این که عرض کردم دارید، خوشحال میشم توضیح بیشتری بفرمایید.

[سیدعلی.م]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

اگر به شکل ذاتی به وجود بیاد، پس نباید نگرانی از بابت ولتاژ روی گیت داشته باشیم و این بحث منتفیست! ولی اینطور نیست..
در مدارات سوییچینگ با طراحی با کیفیت، دو دیود زنر به صورت سر به سر و با اتصال آند هایشان به گیت و سورس لحاظ می شود.

اگر اطلاعات دقیقی غیر از این که عرض کردم دارید، خوشحال میشم توضیح بیشتری بفرمایید.

.
ولتاژ گیت چه ربطی داره به دیود درین سورس؟!!!!!
در تمام اسفت ها و ایجیبیتی ها و..... دیود هرز گرد بطور ذاتی بوجود میاد
در ضمن برای قرار دادن دیود زنر در گیت هم در یکی از اپلیکیشن نوت هاییکه از یکی از شرکت های معروف بود نوشته بود تاثیری نداره چون عکس العملش به اندازه کافی سریع نیست

[K1.IEEE]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

.
ولتاژ گیت چه ربطی داره به دیود درین سورس؟!!!!!
در تمام اسفت ها و ایجیبیتی ها و..... دیود هرز گرد بطور ذاتی بوجود میاد
در ضمن برای قرار دادن دیود زنر در گیت هم در یکی از اپلیکیشن نوت هاییکه از یکی از شرکت های معروف بود نوشته بود تاثیری نداره چون عکس العملش به اندازه کافی سریع نیست

فکر می کنم پست ها رو با دقت دنبال نکردید دوست عزیز.. از ابتدای بحث، اصلاً صحبتی از دیود درین سورس به میان نیومد! موضوع صحبت ما تحلیل و طراحی مداری بود که دوسته خوبمون در پست اول مطرح کردند. دیود مورد بحث ما، دیود زنر گیت سورس هست. لطفاً با دقت بیشتری پست ها رو دنبال کنید تا از سوء تفاهم و بحث های فرسایشی جلوگیری بشه.

و اما در مورد زنر..
درسته! زمان بازیابی دیود زنر کند هست. ولی اصولاً در دیتا شیت ها یک پارامتر لحظه ای تحمل دیوایس در برابر اضافه جریان یا اضافه ولتاژ قید میشه. اگر مدت زمان Overshoot کوتاه باشه، حتی زمانی که زنر روشن نشده، خود ماسفت این Overshoot رو تحمل می کنه. ولی اگر Overshoot سنگین باشه یا به هر دلیلی زمانش کمی طولانی تر بشه، در این لحظه تحمل دیوایس کفایت نمیکنه و اینجاست که اگر زنر رو لحاظ نکرده باشیم، ماسفت خواهد سوخت. امیدوارم تونسته باشم شفاف توضیح بدم.

[سیدعلی.م]

پاسخ : کمک برای طراحی مدار

عجب!!
عجیبه.....من خوندم،لابد با دقت نخوندم.....میبخشید
حالا چرا میزنی؟!
بنده در مورد اورولتاژ گیت پارامتری ندیدم،
در یک اپ نوت معتبر اینو خوندم اما در خیلی جاها هم دیدم از زنر استفاده میکنن....نمیدونم حرف کی درسته!