سلام دوستان من یه سوال دارم در هر خونه از EEPROM میشه ده هزار بار نوشت و پاک کرد یا تنها با ده هزار بار نوشتن در یک خونه کل حافظه ی EEPROM از کار میوفته؟
نه مال هر خونه س.
بعد از اونم نه اینکه زرتی از کار میفته.
کلا حافظه های فلش (و eeprom قطعا) با هر بار نوشتن، کمی ناپایدار میشن. حتا در همون بارهای نخست هم احتمال ناپایداریش هست. اما این احتمال خیلی ناچیزه. در حد چند هزارم درصد. ولی رفته رفته با افزایش دما یا دفعات نوشتن، این مقدار زیاد میشه. بعد از 10 هزار بار، این درصد، از حدی که قابل استفاده س میگذره. مثلا 20 درصد احتمال خطا توش پیدا میشه. مثلا برای اسفتاده های حیاتی، که حتا 5 درصد هم زیاد باشه، بیش از چند ده بار نباید روش نوشت.
نه مال هر خونه س.
بعد از اونم نه اینکه زرتی از کار میفته.
کلا حافظه های فلش (و eeprom قطعا) با هر بار نوشتن، کمی ناپایدار میشن. حتا در همون بارهای نخست هم احتمال ناپایداریش هست. اما این احتمال خیلی ناچیزه. در حد چند هزارم درصد. ولی رفته رفته با افزایش دما یا دفعات نوشتن، این مقدار زیاد میشه. بعد از 10 هزار بار، این درصد، از حدی که قابل استفاده س میگذره. مثلا 20 درصد احتمال خطا توش پیدا میشه. مثلا برای اسفتاده های حیاتی، که حتا 5 درصد هم زیاد باشه، بیش از چند ده بار نباید روش نوشت.
ممنون که جواب دادی دوست من
حافظه های اییپرام خارجی هم به همین صورت هست؟
اخه من شنیدم با متد page writing میشه در سیکل های نوشتن و پاک کردن صرفه جویی کرد و نوشتن هر صفحه برابر با یک سیکل نوشتن و پاک کردنه در هر صفحه چند بایت قرار داره
برای همه ی حافظه های flash (ویکیپدیا) اون قضیه همینطوره. از اس دی کارت گرفته تا اس اس دی تا eeprom خارجی.
حافظه هایی که فقط امکان پیج رایت دارن، بجز این حالت نمیشه توشون نوشت اصن. اینکه مثلا ما بایت بایت توش مینویسیم، در پس زمینه داره پیج خونده میشه، تو رم نوشته میشه، مقدار اون خونه مد نظر ما عوض میشه، بعد دوباره همون پیج نوشته میشه.
eeprom های داخلی معمولا امکان بایت تکی هم میدن چون در اصل بخشی از حافظه فلش هستن و تو ناحیه قابل آدرس دهی هستن. ولی حافظه های خارجی اینطور نیستن.
دیدگاه