بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

[sina_javan]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

چرا تشخیص over current از عهده hcpl316 خارجه؟ مگه نمیشه با افزایش دادن تعداد دیودهایی که به کلکتور IGBT وصل میشوند ( یا مقدار مقاومت سری با دیود) مقدار ماکزیمم جریان عبوری از IGBT را که اگر جریان از آن بیشتر شود، آی سی خطا خواهد داد را افزایش داد؟ من خودم بجای یک دیود 5 دیود قرار دادم و روی جریان حدودا 25 آمپر خطا میداد :question:

[عباس جبراییلی]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

حاتهای مختلفی برای جریان زیاد در ای جی بی تی وجود دارد.کی از انها اتصال کوتاه و دیگری over current هست در اتصال کوتاه هم دو حالت داریم کی اینکه سوییچ روشن باشد و اتصال کوتاه رخ دهد و دیگر اینکه سوییچ منبع تغذیه را اتصال کوتاه کند و مسیر جریان از منبع و سوییچ باشد که هر کدام از این حالها باعث رفتارهای متفتوتی در سوییچ میشود.برای حفاظت در برابر هر یک از این حالتها رو شهای مختلفی وجود دارد.ای سی مورد اشااره یعنی HCPL316 از روش افزایش ولتاژ اشباع کلکتور امیتر برای حالت اتصال کوتاه وقتی که سوییچ روشن است استفاده میکند و نمیتواند حالتهای دیگر را تشخیص دهد.زیرا هنگامیکه سوییچ مسیر منبغ تغذیه را اتصال کوتاه میکند بدلیل اثر میر و افزایش نرخ تغییرات جریان افزایش چندانی در ولتاژ اشباع کلکتور امیتر رخ نمیدهد و ای سی نمیتواند انرا تشخیص دهد.اینکه شما با 5 دیود یا هر چند تا این کار را کرده اید اولا اینکه افزایش تعداد دیودها فقط برای افزایش ولتاژ شکست دیود ها میباشد و در طراحی باید ولتاژ دیودها را از ولتاژ مرجع کم کنیم نه اینکه انها را نیز به ان بیافزاییم تا ای جی بی تی جریان کمتری بدهد.هنر الکترونیک در این است که از هر المان بتوانیم حد اکثر استفاده را ببریم والا استفاده از یک سوییچ 300 امپری به جای یک سوییچ 30 امپری هنر زیادی نمیخواهد و هر کسی میتواند این کار را انجام دهد.شرط ان است که از سوسسچ 300 امپری بتوانید 300 امپر جریان بگیرید.همچنین روش ولتاژاشباع فقط یک حالت وجودیل عدم و جود خطا را نشان میدهد یعنی جریان خیلی شده و یا خیر و نمیتوان از ان بعنوان اینکه جریان از چه" مقدار "بیشتر شده استفاده کرد.

[sina_javan]

پاسخ : پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

حاتهای مختلفی برای جریان زیاد در ای جی بی تی وجود دارد.کی از انها اتصال کوتاه و دیگری over current هست

منظور از over current آیا این است که جریان را با سیتی بخوانیم تا اگر از حد خاصی بیشتر شد متوجه شویم؟

حفاظت نیز مدار desaturation detection برای فرکانسهای کمتر از 20 کیلو کاربرد دارد و برای فرکانسهای بالاتر بای روشهای دیگری به کار برده شود و ان روش پاسخگو نخواهد بود

منظورتان از اینکه desaturation detection برای فرکانس های کم کاربرد دارد این بود که برای اینکه از اسپایک های ولتاژ جلوگیری شود باید آهسته پالس گیت قطع شود و چون در فرکانس های بالا پریود کلیدزنی کوتاه است این امر مقدور نیست. جسارتا اگه اشکالی ندارد میخواستم بپرسم در روش دیگری که شما فرمودید چطوری این مشکل را حل میکنند؟ یعنی وقتی اتصال کوتاه میشود چگونه کلید را خاموش میکنند که بتواند در فرکانس های بالا هم جوابگو باشد و آسیبی به کلید نزند؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

برای اور کارنت روشهای مختلفی هست که یکی از انها استفاده از سی تی و دیگری استفاده از مقاومت و یا سنسور جریان .در همین صفحه اشاره شد که روش کنترل حلقه بسته فرمان گیت کاملترین روش میباشدclosed-loop gate drive در این روش در هر لحظه از زمان از ولتاژ کلکتور (شیب تغییرات ولتاژ )و جریان سوییچ (باز هم شیب تغییرات جریان)نمونه برداری شده و با ولتاژ مرجع مقایسه میشود تا سوییچ از ناحیه SOA خارج نشود و هر کدام یا شاید هر دو از مقدار مجاز مشخص شده در دیتا شیت بیشتر شود در یکی (ولتاژ کلکتور) دامنه پالس تغییر میکند و در دیگری (نمونه تغییرات جریان) شیب پالس اعمالی تغییر میکند.یعنی پالس اعمالی به گیت شکل ثابتی ندارد و بستگی به این تغییرات دارد.ولی فرکانس ان فرکانس مدار میباشد.

[ebismps]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

چرا تشخیص over current از عهده hcpl316 خارجه؟ مگه نمیشه با افزایش دادن تعداد دیودهایی که به کلکتور IGBT وصل میشوند ( یا مقدار مقاومت سری با دیود) مقدار ماکزیمم جریان عبوری از IGBT را که اگر جریان از آن بیشتر شود، آی سی خطا خواهد داد را افزایش داد؟ من خودم بجای یک دیود 5 دیود قرار دادم و روی جریان حدودا 25 آمپر خطا میداد :question:

سلام
باتوجه به اینکه ولتاژ حالت اشباع ای جی بی تی در جریانی ثابت در دمای پایین (25)کمتر از دمای بالاتر (80) میباشد در صورت افزایش دمای ای جی بی تی در همان جریان ولتاژ اشباع افزایش یافته و مدار Desat عمل خواهد کرد.


اقای sins-javan صندوق پستی شما پر شده و امکان ارسال پیام خصوصی وجود ندارد.

[iraniansport]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام اگر تردمیل استارت میشه و بدون اینکه کاربر بر روی دستگاه باشه کار بکنه و به محض اینکه کاربر بره روی دستگاه و برد بسوزه مشکل موتور هستش. اولین کار باید گرفتن جریان موتور باشه اگر موردی بود رفع ایراد کنید از تسمه هم غافل نشید 90 درصد مواقع تسمه باعث خرابی موتور میشه

[hamedhamidi]

پاسخ : پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

برای اور کارنت روشهای مختلفی هست که یکی از انها استفاده از سی تی و دیگری استفاده از مقاومت و یا سنسور جریان .در همین صفحه اشاره شد که روش کنترل حلقه بسته فرمان گیت کاملترین روش میباشدclosed-loop gate drive در این روش در هر لحظه از زمان از ولتاژ کلکتور (شیب تغییرات ولتاژ )و جریان سوییچ (باز هم شیب تغییرات جریان)نمونه برداری شده و با ولتاژ مرجع مقایسه میشود تا سوییچ از ناحیه SOA خارج نشود و هر کدام یا شاید هر دو از مقدار مجاز مشخص شده در دیتا شیت بیشتر شود در یکی (ولتاژ کلکتور) دامنه پالس تغییر میکند و در دیگری (نمونه تغییرات جریان) شیب پالس اعمالی تغییر میکند.یعنی پالس اعمالی به گیت شکل ثابتی ندارد و بستگی به این تغییرات دارد.ولی فرکانس ان فرکانس مدار میباشد.

با تشکر از تمام راهنمایی های شما
میشه بگید این کار دقیقا با چه آی سی یی انجام میشه؟ قطعا کسایی مثل شما که قطعات قدرت رو توی این فرکانس استفاده میکنن یک کاری واسه حفاظتش انجام میدن دیگه.
اینجوری که از عقل من بر میاد باید حفاظت سیکل به سیکل روشن شدن و خاموش شدن آی جی بی تی ها انجام بشه دیگه.خوب هیچ مقایسه کننده و پ امپ معمولی یی نمیتونه تو این فرکانس این کار رو به خوبی انجام بده پس حتما یک آی سی که مدار مجتمع ساخته و بهینه شده واسه انجام این کار موجوده درسته؟

[EHSANeb]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام بر اساتید، من به یک مشکلی در راه اندازی یک مجموعه IGBT سه فاز برخوردم که نمیدونم باید چه بکنم. لطفا کمک بکنید.

داستان از این قراره که من قراره برای یک پروژه دانشجویی یه موتور BLDC رو با یه باتری 48 ولت درایو کنم، مداری که برای درایو کردن یک شاخه از IGBT استفاده می کنم به صورت زیره (دقت کنید فقط یه شاخه است، برای سادگی دو تا شاخه دیگه که کپی اینه نیاوردم) اگه بخوام توضیح بدم این طوریه که من از ورودی P0 یه 48 ولت میگیرم، بعدش با یه DCDC ایزوله 24 ولت میگیرم و از این 24 ولت(Vcc) با چهار تا تغذیه ایزوله دیگه 15 ولت میگرم تا خروجی HCPL3120 رو تغذیه کنم، ورودی HCPL3120 هم که به مدار کنترل وصله، پین*های P1 و P2 به سمت IGBT میرن. وقتی ورودی 48 ولتی P0 رو از یه جایی میارم و IGBT ها رو وصل می کنم به 48 ولت اصلی باتری (که جدا از 48 ولت ورودی P0 هستش) همه چی درست کار می*کنه و موتور میچرخه، اما به محض این که ورودی 48 ولت رو از همون باتری میگیرم که موتور هم از اون باتری تغذیه می*کنه فیوزی که سر راه گذاشتم میسوزه (قبلا DC به DC اولی که 48 رو 24 میکرد میسوخت! حالا فیوز گذاشتم تا اون چیزیش نشه) نمیدونم داستان چیه چون دو طبقه تغذیه ایزوله تو راه وجود داره علی الاصول نمی تونسته گراند ورودی P0 با گراند خروجی HCPL تداخلی ایجاد کنه ولی ظاهرا میشه. مشکل چیه؟

پیشاپیش ممنون از توجهتون

[EHSANeb]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

یه جوان مردی نبود سوالِ منو جواب بده؟

[mz1037]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام خدمت اساتید محترم
من یه مدته تو یه مدار به مشکل خوردم. مشکلم اینه که هر کاری میکنم igbt های توی مدارم داغ میشه و بعد از یه مدت میسوزه. واقعا کلافه شدم و چند ماهه درگیرشم. شماتیک مدار هم از یه مدار خارجی مهندسی معکوس کردم و فقط قسمت هایی از اون رو تغییر دادم تو اون مدار بدون هیچ مشکلی دستگاه کار میکنه و اصلا igbt ها داغ نمیشن. البته بیشتر مدار فرمانش رو تغییر دادم و مدار قدرتش که igbt ها در اون قرار دارند 90 درصد همون مدار خارجی هستش. deadtime هم مشکلی نداره. من از 0.5 تا 4.5 میکروثانیه رو امتحان کردم. در هر صورت داغ میکنه و بعد از یه مدت میسوزه. خواهش میکنم از اساتید که کمکم کنید تا بتونم مشکل مدارو حل کنم. شماتیک قسمت igbt هارو قرار دادم تا ببینید. ممنون از کمکتون.

https://s4.uupload.ir/files/2021-06-14_18-14-08_u0xi.jpg

[HS1386]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام خدمت اساتید محترم
من یه مدته تو یه مدار به مشکل خوردم. مشکلم اینه که هر کاری میکنم igbt های توی مدارم داغ میشه و بعد از یه مدت میسوزه. واقعا کلافه شدم و چند ماهه درگیرشم. شماتیک مدار هم از یه مدار خارجی مهندسی معکوس کردم و فقط قسمت هایی از اون رو تغییر دادم تو اون مدار بدون هیچ مشکلی دستگاه کار میکنه و اصلا igbt ها داغ نمیشن. البته بیشتر مدار فرمانش رو تغییر دادم و مدار قدرتش که igbt ها در اون قرار دارند 90 درصد همون مدار خارجی هستش. deadtime هم مشکلی نداره. من از 0.5 تا 4.5 میکروثانیه رو امتحان کردم. در هر صورت داغ میکنه و بعد از یه مدت میسوزه. خواهش میکنم از اساتید که کمکم کنید تا بتونم مشکل مدارو حل کنم. شماتیک قسمت igbt هارو قرار دادم تا ببینید. ممنون از کمکتون.

https://s4.uupload.ir/files/2021-06-...14-08_u0xi.jpg

سلام و درود، این مشکل معمولا به دلیل ولتاژ ناکافی درایو کردن گیت IGBT
اتفاق میوفته.
راستی زنر ها گرم میشن یا نه؟
در صورت امکان با اسیلوسکوپ ولتاژ پیک که روی گیت می افته رو اندازه بگیرین
و گزارش کنین.و یه عکس هم از شکل موج قرار بدین.
موفق و پیروز باشید.

[mz1037]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام و درود، این مشکل معمولا به دلیل ولتاژ ناکافی درایو کردن گیت IGBT
اتفاق میوفته.
راستی زنر ها گرم میشن یا نه؟
در صورت امکان با اسیلوسکوپ ولتاژ پیک که روی گیت می افته رو اندازه بگیرین
و گزارش کنین.و یه عکس هم از شکل موج قرار بدین.
موفق و پیروز باشید.

سلام دوست عزیز
ممنون از اینکه جواب دادید
داستان این دستگاه خیلی مفصله. الان یک سالی هست که درگیرشم. نمونه اولی یک ماه تمام سر سوختن igbt اذیتم میکرد. مشکلشم سر ترانس پالس بود. ترانس پالسی که تو دستگاه اورجینال استفاده شده بود تو بازار ما موجود نبود. آخرش یکی از دوستام که تو کار ساخت اینورتر جوش بود یه ترانس پالس دست پیچ بهم داد که اونم جواب نداد و داغ میکرد و بعد از 5 دقیقه میسوخت. شماره igbt هام irg4pc30kd بود که روی دستگاه اورجینال استفاده شده بود. در نهایت بعد از یک ماه درگیری با یه مهندس که کارش ساخت اینورترهای 3 فاز بود مشورت کردم و بالاخره یه ترانس دست پیچ بهم داد که تا حد زیادی مشکلم رو حل کرد. از طرفی بهم گفت جای igbt تو مدارت از ماسفت استفاده کن بهترم جواب میگیری. منم از irfp460 استفاده کردم و تو دستگاه نمونه کاملا مشکلم حل. و بعد از اون 6 تا دونه سفارش گرفتم. حالا این 6 تا دونه کلافه م کرده. ترانس پالس همون ترانس قبلیه ولی بازم داغ میکنه. حتی از igbt های fgh60n60sft هم استفاده کردم. علی رغم اینکه جریان اونا بیشتره ولی بازم همونقدر داغ میکنه. در حالی که تو نمونه اولی که ساختم و دستگاه اورجینال حتی igbt ها گرمم نمیشه. تو نمونه هم از irfp460 و هم از 60n60 استفاده کردم با هر دوشون خوب بوده. دید تایم رو بالا پایین کردم. ترانس پالسو تغییر دادم. اسنابرو کم و زیاد کردم. روی ماسفتام اسنابر نداشت و فقط اول تو اولیه ترانس داشت، بعدا رو ماسفتا هم اسنابر گذاشتم. یه خازن 10 میکرو بایپلار با اولیه و ثانویه های ترانس پالس سری کردم. یه دیود 1n5819 با مقاومت 10 اهم موازی کردم طوری که پالس مثبت با مقاومت همراه باشه و پالس منفی بدون مقاومت تا ماسفت سریع تر خاموش بشه ( تو دستگاه اورجینال اصلا از Rg استفاده نکرده بود و خروجی ترانس پالس مستقیما به گیت امیتر وصل شده بود سر همین منم اینو تست کردم) با همه این اوصاف هیچ فرقی نکرد و داغ میکنه هنوز. فقط تو یکی از دستگاه ها وقتی دید تایم رو کم کردم و تا 0.5 میکروثانیه پایین آوردم دیگه ماسفتم داغ نکرد اما بعد چند روز کار کردن اونم سوخت و هر سه پایه به هم اتصال کوتاه شده بود. یه جورایی تو هر دستگاه رفتار ماسفت یه جوره. در حالی که متریال دسگاه ها برابره. اندوکتانس ترانس ها هم برابره. نمیدونم چرا اینطوره. فرکانس کاری دستگاه بین 32 تا 36 کیلوهرتز و به صورت متغییر با یک ولومه. خروجی دستگاهم به یه پیزو الکتریک وصل میشه و به طور کل دستگاه یه ویبراتوره. یه ولومم داره که 36 کیلوهرتز رو قطع و وصل میکنه و سرعت قطع و وصل بین 2 میلی ثانیه تا 1 ثانیه متغییره که به کمک اون قدرت خروجی یه جورایی کم و زیاد میشه (شبیه عملکرد pwm ولی نه دقیقا) تو حالت ماکزیمم هر دو ولوم، خروجی حدود 750 ولت روی مولتی متر نمایش داده میشه. خروجی ترانس اولم حدود 250 ولت هست که بعد از گذشتن از یه سلف 2.2 میلی هانری وات بالا به 750 ولت میرسه. ترانس هام کمی داغ میکرد به خصوص سلفه (ترانس دوم صداش میکنم البته ترانس نیست سلفه ولی چون دقیقا سلف و ترانسم شبیه هم هستن اونم ترانس صدا میکنم. یعنی روی یک نوع فریت پیچیده شدن جفتشون) که منم با مطالعه بخش های مرتبط توی انجمن یکم فاصله هوایی بین ترانسم ایجاد کردم که مشکل داغ شدنشون حل شد و الان فقط گرم میکنن که نمونه خارجی هم همینطوره. تا جایی که یادم میاد کارهای انجام شده رو توضیح دادم که شاید کمکی بکنه. ببخشید که پر حرفی کردم.
حالا بریم سراغ جواب سوالات شما
فکر نمیکنم مشکل از ولتاژ تحریک باشه چون دامنه ولتاژم حدود 16.5 ولته. اینم شکل موجش دو سر گیت امیتر ماسفت لو سایدم:

https://uupload.ir/view/شکل_موج_گیت_امیتر_ماسفت_xdul.pdf/

و این هم شکل موج اولیه ترانس پالس که از درایور l6203 میاد:

https://uupload.ir/view/شکل_موج_دو_سر_اولیه_ترانس_پالس_2yyp.pdf/

و این هم شکل موج دو سر ثانویه های ترانس پالسم قبل از اینکه به ماسفت وصلشون کنم (بدون بار جهت تست زمان بندی و پلاریته):

https://uupload.ir/view/test_with_l6203_fa9z.pdf/

و اینم شکل موج دو تا خروجی لو و های ساید مدارم که توسط atxmega64 تولید شدن با دید تایم 4.5 میکروثانیه:

https://s4.uupload.ir/files/1_b5wn.jpg

و اینم شکل موج دو سر اولیه ترانس مبدلم ( بار متصل به ماسفتام):

https://uupload.ir/view/شکل_موج_دو_سر_اولیه_ترانس_قدرت_1_9hd.pdf/

https://uupload.ir/view/شکل_موج_دو_سر_اولیه_ترانس_قدرت_2_crt7.pdf/

و در نهایت اینم شکل موج خروجی دستگاهم زیر بار با توان و فرکانس حداکثر (متصل به پیزو):

https://uupload.ir/view/شکل_موج_خروجی_دستگاه_i7u.pdf/

زنرامم داغ نمیکنه. یکم گرم هست که اونم به خاطر مجاورت به ترانس پالس و ماسفت باید باشه. چون ترانس پالسم یکم گرم میشه و ماسفتمم که داغ میشه کامل
بازم ممنون از کمکاتون

[mz1037]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام خدمت مهندسین عزیز
دوستان کسی نیست که در مورد مشکل من نظر یا راهنمایی ای داشته باشه؟
ممنون میشم کمکم کنید.

[mz1037]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام خدمت مهندسین عزیز
دوستان کسی نیست که در مورد مشکل من نظر یا راهنمایی ای داشته باشه؟
ممنون میشم کمکم کنید.

سلام به دوستای عزیز و گرامی
مشکل من تو این مدار حل شد و دلیل اصلی داغ شدن igbt ها رو پیدا کردم و امروز که دوباره این مطلب رو دیدم گفتم خدمت دوستان نتیجه رو اعلام کنم تا شاید به دردشون بخوره. من تو مدار دو تا igbt داشتم که با یه فاصله حدودا نیم سانتی کنار هم بودن و با قرار دادن دو تا عایق سیلیکونی اونارو روی یک هیت سینک آلومینیومی نصب کرده بودم و بین آلومینیوم و igbt خمیر سیلیکون هم زده بودم. چیزی که باعث داغ شدن igbt هام میشد همین خمیر سیلیکون بود. چون فاصله igbt ها کم بود و منم خمیر سیلیکون زیاد میزدم، خمیر از کنارای igbt بیرون میزد و دو تا igbt ها با خمیر سیلیکون به هم میچسبیدن. و جالب اینجاست که خمیر سیلیکون تو فرکانس ۴۰ کیلوهرتز کمی رسانا میشد و برق دزدی ایجاد میکرد و باعث میشد igbt هام بشوزه حتی زمانی که بدون بار بود. چیزی که باعث شد بهش شک کنم این بود که همه igbt ها از سمت خمیر سیلیکون سیاه میشدن و میسوختن

دلیل: ادغام دو پست برای جلوگیری از اسپم

سلام خدمت مهندسین عزیز
دوستان کسی نیست که در مورد مشکل من نظر یا راهنمایی ای داشته باشه؟
ممنون میشم کمکم کنید.

سلام به دوستای عزیز و گرامی
مشکل من تو این مدار حل شد و دلیل اصلی داغ شدن igbt ها رو پیدا کردم و امروز که دوباره این مطلب رو دیدم گفتم خدمت دوستان نتیجه رو اعلام کنم تا شاید به دردشون بخوره. من تو مدار دو تا igbt داشتم که با یه فاصله حدودا نیم سانتی کنار هم بودن و با قرار دادن دو تا عایق سیلیکونی اونارو روی یک هیت سینک آلومینیومی نصب کرده بودم و بین آلومینیوم و igbt خمیر سیلیکون هم زده بودم. چیزی که باعث داغ شدن igbt هام میشد همین خمیر سیلیکون بود. چون فاصله igbt ها کم بود و منم خمیر سیلیکون زیاد میزدم، خمیر از کنارای igbt بیرون میزد و دو تا igbt ها با خمیر سیلیکون به هم میچسبیدن. و جالب اینجاست که خمیر سیلیکون تو فرکانس ۴۰ کیلوهرتز کمی رسانا میشد و برق دزدی ایجاد میکرد و باعث میشد igbt هام بشوزه حتی زمانی که بدون بار بود. چیزی که باعث شد بهش شک کنم این بود که همه igbt ها از سمت خمیر سیلیکون سیاه میشدن و میسوختن

[فرزاد الکترونیک]

پاسخ : بشتابید... ساختار igbt ودرایو کردن آن

سلام به دوستای عزیز و گرامی
مشکل من تو این مدار حل شد و دلیل اصلی داغ شدن igbt ها رو پیدا کردم و امروز که دوباره این مطلب رو دیدم گفتم خدمت دوستان نتیجه رو اعلام کنم تا شاید به دردشون بخوره. من تو مدار دو تا igbt داشتم که با یه فاصله حدودا نیم سانتی کنار هم بودن و با قرار دادن دو تا عایق سیلیکونی اونارو روی یک هیت سینک آلومینیومی نصب کرده بودم و بین آلومینیوم و igbt خمیر سیلیکون هم زده بودم. چیزی که باعث داغ شدن igbt هام میشد همین خمیر سیلیکون بود. چون فاصله igbt ها کم بود و منم خمیر سیلیکون زیاد میزدم، خمیر از کنارای igbt بیرون میزد و دو تا igbt ها با خمیر سیلیکون به هم میچسبیدن. و جالب اینجاست که خمیر سیلیکون تو فرکانس ۴۰ کیلوهرتز کمی رسانا میشد و برق دزدی ایجاد میکرد و باعث میشد igbt هام بشوزه حتی زمانی که بدون بار بود. چیزی که باعث شد بهش شک کنم این بود که همه igbt ها از سمت خمیر سیلیکون سیاه میشدن و میسوختن

دلیل: ادغام دو پست برای جلوگیری از اسپم



سلام به دوستای عزیز و گرامی
مشکل من تو این مدار حل شد و دلیل اصلی داغ شدن igbt ها رو پیدا کردم و امروز که دوباره این مطلب رو دیدم گفتم خدمت دوستان نتیجه رو اعلام کنم تا شاید به دردشون بخوره. من تو مدار دو تا igbt داشتم که با یه فاصله حدودا نیم سانتی کنار هم بودن و با قرار دادن دو تا عایق سیلیکونی اونارو روی یک هیت سینک آلومینیومی نصب کرده بودم و بین آلومینیوم و igbt خمیر سیلیکون هم زده بودم. چیزی که باعث داغ شدن igbt هام میشد همین خمیر سیلیکون بود. چون فاصله igbt ها کم بود و منم خمیر سیلیکون زیاد میزدم، خمیر از کنارای igbt بیرون میزد و دو تا igbt ها با خمیر سیلیکون به هم میچسبیدن. و جالب اینجاست که خمیر سیلیکون تو فرکانس ۴۰ کیلوهرتز کمی رسانا میشد و برق دزدی ایجاد میکرد و باعث میشد igbt هام بشوزه حتی زمانی که بدون بار بود. چیزی که باعث شد بهش شک کنم این بود که همه igbt ها از سمت خمیر سیلیکون سیاه میشدن و میسوختن

با سلام به شما ....شما میتوانید پشت ترانزیستورها از عایق میکا استفاده کنید ...که هم هادی حرارت
است و هم عایق الکتریسیته ...