درخواست و کار بر روی یک مبدل پوش پول(push pull)

[HS1386]

درود
متاسفانه امروز مشغله زیاد ، اجازه کار نداد
ان شاءالله فردا
یه سوال داشتم
کمتر یا زیادتر بودن تعداد دور ثانویه از میزان مناسب و محاسبه شده،چه مشکلاتی ایجاد میکنه؟

صحیح.
اگر تعداد دور ثانویه بالا باشه امکان دل دل زدن خروجی در ولتاژ پایین وجود داره ، و همچنین در جریان دهی بالا هم باعث بروز مشکل میشه( بیشتر به علت مقاومت اهمی سیم لاکی ).
اگر هم تعداد دور کمتر باشه ، در ولتاز بالا باعث میشه dead time به کمترین حد خودش برسه و امکان اشباع ترانس وجود داره،علاوه بر این باعث افزایش جریان پیک اولیه میشه.
البته در پوش پول احتمال اشباع هسته کمتر از فلایبک هست!

[Samyarjam]

صحیح.
اگر تعداد دور ثانویه بالا باشه امکان دل دل زدن خروجی در ولتاژ پایین وجود داره ، و همچنین در جریان دهی بالا هم باعث بروز مشکل میشه( بیشتر به علت مقاومت اهمی سیم لاکی ).
اگر هم تعداد دور کمتر باشه ، در ولتاز بالا باعث میشه dead time به کمترین حد خودش برسه و امکان اشباع ترانس وجود داره،علاوه بر این باعث افزایش جریان پیک اولیه میشه.
البته در پوش پول احتمال اشباع هسته کمتر از فلایبک هست!

سپاس
پس داغی زیاد ماسفت های ارتباط زیادی به ثانویه نداره

در این فیلم ، سه شکل موج با جریان های ۱۰۰ و ۲۲۰ و ۵۵۰ میلی آمپر نشون داده شده(به ترتیب)
ولتاژ خروجی ۱۰.۵ ولت
اولیه ترانس ۲ تا ۴ دور

دیگه اینکه ، ناپایداری بیشتر در پایه ۳ آیسی دیده میشه
البته ظاهرا پیک ولتاژ بالاس(چون ناپایداره معلوم نیست) و ولت_دیویژن باید روی ۱ ولت باشه
اما پایه های ۲و۱ روی حالت میلی ولت_دیویژن ناپایداری کمی دارن

https://uupload.ir/view/inshot_20240724_095035653_mshi.mp4/

[HS1386]

سپاس
پس داغی زیاد ماسفت های ارتباط زیادی به ثانویه نداره

در این فیلم ، سه شکل موج با جریان های ۱۰۰ و ۲۲۰ و ۵۵۰ میلی آمپر نشون داده شده(به ترتیب)
ولتاژ خروجی ۱۰.۵ ولت
اولیه ترانس ۲ تا ۴ دور

دیگه اینکه ، ناپایداری بیشتر در پایه ۳ آیسی دیده میشه
البته ظاهرا پیک ولتاژ بالاس(چون ناپایداره معلوم نیست) و ولت_دیویژن باید روی ۱ ولت باشه
اما پایه های ۲و۱ روی حالت میلی ولت_دیویژن ناپایداری کمی دارن

https://uupload.ir/view/inshot_20240...5653_mshi.mp4/

الان این شکل موج ها برای گیت بودن؟
هر طور نگاه میکنم انگار که یه حلقه ناپایداری ایجاد میشه و باعث این مشکل میشه.
فعلا باید روی پایه های ۱ تا ۳ و قطعات متصل بهش تمرکز کرد.
بین پایه ۱ و GND خازن در حد ۱۰ نانوفاراد قرار بدید و نتیجه رو بررسی کنید.
اگر بی تاثیر بود، بین + خروجی و پایه ۱ خازن در حد ۱۰ نانوفاراد قرار بدید و نتیجه رو بررسی کنید.
ضمنا سعی کنید مسیر ها تا حد امکان کوتاه باشه.

[Mahdi_Vaziri]

مواردی که از اول تاپیک وجود داشته:
با توجه به فرکانس 30 کیلوهرتز روی ترانس حداکثر قطر سیمی که بطور موثر میتونید استفاده بکنید حدود 0.8 هستش. استفاده از قطر بیشتر هیچ اثر مثبتی در چگالی جریان در سیم نداره.
توپولوژی پوش پول در تئوری هیچ نیازی به فاصله هوایی نداره. ولی در توپولوژی هایی که درشون احتمال به اشباع رفتن ترانس در طول زمان وجود داره (پوشپول و فرووارد) یه فاصله هوایی خیلی مختصر در حد یک دهم میلیمتر ایجاد میکنیم که از شرایط اشباع ترانس دور بشیم.
در توپولوژی پوش پول جهت سیمپیچ های اولیه نسبت به هم و ثانویه نسبت به هم اهمیت داره. هم اولیه و هم ثانویه باید به این شکل باشن که در یک سیمپیچ سر نقطه دار به مشترک و در دیگری سر بی نقطه به سر وسط متصل باشد. جهت اولیه و ثانویه نسبت به همدیگه ست که اهمیت نداره.
سعی بکنید هر دو سیمپیچ رو روی یک ردیف و ترجیحا اگر ولتاژتون بالا نیست و مشکل عایق کاری رو ندارید (با توجه مشخصاتی که فرمودید چنین شرایطی وجود داره) موازی با همدیگر بپیچید. با توجه به جریانی که مد نظر دارید اختلاف طول جفت های سیمپیچ اگر با همدیگه زیاد بشه ترانس و مدار انبالانس کار میکنن. یعنی از یک دیود و سوییچ جریان بیشتری نسبت به سوییچ و دیود دیگر کشیده میشه. این موضوع میتونه حتی باعث به اشباع رفتن ترانس هم بشه. هر دو سیمپیچ باید همدور باشند. تعداد دور تعیین کننده ولتاژ و طول سیم تعیین کننده مقاومت سیم هستش. سعی بکنید هر دو رو موازی همدیگر بپیچید. ولتاژتون پایینه و به مشکلی نمیخورید.
دلیل اینکه با افزایش فرکانس دما کاهش پیدا میکنه فاصله هواییه. شما نباید فاصله هوایی داشته باشید. اندوکتانس رو با نزدیک کردن فاصله هوایی به صفر زیاد بکنید تا جریان کاهش پیدا بکنه و دما کم بشه. با افزایش فرکانس قطر سیمها هم باید کاهش پیدا بکنه.
برای تست گرفتن در قدم اول فیدبک رو ازاد بکنید تا عرض پالس تا حداکثر میزان ممکن زیاد بشه. بار رو روی خروجی قرار بدید و با تغییر مقاومت بار مدار رو در جریانهای مختلف تست بکنید. نتیجه قطعی و درست رو که از مدار قدرت دریافت کردید برید سراغ اصلاح بخش کنترل.

[Samyarjam]

الان این شکل موج ها برای گیت بودن؟
هر طور نگاه میکنم انگار که یه حلقه ناپایداری ایجاد میشه و باعث این مشکل میشه.
فعلا باید روی پایه های ۱ تا ۳ و قطعات متصل بهش تمرکز کرد.
بین پایه ۱ و GND خازن در حد ۱۰ نانوفاراد قرار بدید و نتیجه رو بررسی کنید.
اگر بی تاثیر بود، بین + خروجی و پایه ۱ خازن در حد ۱۰ نانوفاراد قرار بدید و نتیجه رو بررسی کنید.
ضمنا سعی کنید مسیر ها تا حد امکان کوتاه باشه.

سپاس
بله برای گیت بودند
چشم
انجام میدم و میگم خدمتتون

[Samyarjam]

مواردی که از اول تاپیک وجود داشته:
با توجه به فرکانس 30 کیلوهرتز روی ترانس حداکثر قطر سیمی که بطور موثر میتونید استفاده بکنید حدود 0.8 هستش. استفاده از قطر بیشتر هیچ اثر مثبتی در چگالی جریان در سیم نداره.
توپولوژی پوش پول در تئوری هیچ نیازی به فاصله هوایی نداره. ولی در توپولوژی هایی که درشون احتمال به اشباع رفتن ترانس در طول زمان وجود داره (پوشپول و فرووارد) یه فاصله هوایی خیلی مختصر در حد یک دهم میلیمتر ایجاد میکنیم که از شرایط اشباع ترانس دور بشیم.
در توپولوژی پوش پول جهت سیمپیچ های اولیه نسبت به هم و ثانویه نسبت به هم اهمیت داره. هم اولیه و هم ثانویه باید به این شکل باشن که در یک سیمپیچ سر نقطه دار به مشترک و در دیگری سر بی نقطه به سر وسط متصل باشد. جهت اولیه و ثانویه نسبت به همدیگه ست که اهمیت نداره.
سعی بکنید هر دو سیمپیچ رو روی یک ردیف و ترجیحا اگر ولتاژتون بالا نیست و مشکل عایق کاری رو ندارید (با توجه مشخصاتی که فرمودید چنین شرایطی وجود داره) موازی با همدیگر بپیچید. با توجه به جریانی که مد نظر دارید اختلاف طول جفت های سیمپیچ اگر با همدیگه زیاد بشه ترانس و مدار انبالانس کار میکنن. یعنی از یک دیود و سوییچ جریان بیشتری نسبت به سوییچ و دیود دیگر کشیده میشه. این موضوع میتونه حتی باعث به اشباع رفتن ترانس هم بشه. هر دو سیمپیچ باید همدور باشند. تعداد دور تعیین کننده ولتاژ و طول سیم تعیین کننده مقاومت سیم هستش. سعی بکنید هر دو رو موازی همدیگر بپیچید. ولتاژتون پایینه و به مشکلی نمیخورید.
دلیل اینکه با افزایش فرکانس دما کاهش پیدا میکنه فاصله هواییه. شما نباید فاصله هوایی داشته باشید. اندوکتانس رو با نزدیک کردن فاصله هوایی به صفر زیاد بکنید تا جریان کاهش پیدا بکنه و دما کم بشه. با افزایش فرکانس قطر سیمها هم باید کاهش پیدا بکنه.
برای تست گرفتن در قدم اول فیدبک رو ازاد بکنید تا عرض پالس تا حداکثر میزان ممکن زیاد بشه. بار رو روی خروجی قرار بدید و با تغییر مقاومت بار مدار رو در جریانهای مختلف تست بکنید. نتیجه قطعی و درست رو که از مدار قدرت دریافت کردید برید سراغ اصلاح بخش کنترل.

درود و سپاس
مواردی که فرمودید رو چک میکنم
فقط در مورد ترانس،این نوع ترانس فاصله هوایی داره(در عکس مشخصه) و ظاهرا باید ترانسی استفاده کنم که بدون فاصله هوایی باشه
و دیگه اینکه موازی پیچیدن رو متوجه نشدم
منظورتون این هست که باید هر جفت (اولیه یا ثانویه)رو با هم شروع به پیچیدن کنم؟

ینی ضخامت کل اولیه۰.۸ باشه؟
یا مثلا سه تا ۰.۸ به هم بپیچم؟

[Mahdi_Vaziri]

درود و سپاس
مواردی که فرمودید رو چک میکنم
فقط در مورد ترانس،این نوع ترانس فاصله هوایی داره(در عکس مشخصه) و ظاهرا باید ترانسی استفاده کنم که بدون فاصله هوایی باشه
و دیگه اینکه موازی پیچیدن رو متوجه نشدم
منظورتون این هست که باید هر جفت (اولیه یا ثانویه)رو با هم شروع به پیچیدن کنم؟

ینی ضخامت کل اولیه۰.۸ باشه؟
یا مثلا سه تا ۰.۸ به هم بپیچم؟

بله. هدف از فاصله هوایی در ا ین ابعاد ذخیره انرژی هستش که اینجا هدف ما نیست. در نوع فلایبک و یا انواع سلف که برای باک و بوست و ... استفاده میشه نیاز به فاصله هوایی بزرگ داریم. اینجا از هسته بدون فاصله هوایی استفاده بکنید. یک لایه چسب نازک هم بینشون بزنید که یه فاصله خیلی مختصر وجود داشته باشه. اگر اسیلوسکوپ داشته باشید با مشاهده جریان ترانس میتونید در فراکانسهای پایین نزدیک به اشباع شدن ترانس رو ببینید. در شرایط بی باری مطلق (ازاد بودن ثانویه) جریان باید بصورت خطی تغییر بکنه. این شیب هرکجا غیر خطی بشه هسته اونجا داره اشباع میشه. با صفر کردن فاصله هوایی اندوکتانس خیلی زیاد میشه و این جریان بیباری خیلی کم میشه.
خیر. اولیه و ثانویه جدای از هم و در لایه های جدای از هم و ترجیحا با یک لایه چسب از همدیگه جدا بشن بهتره. ولی دو سیمپیچ ثانویه و یا دو سیمپیچ اولیه باید تعداد دورشون با هم برابر باشه و بهتره طول سیمشون هم با هم برابر باشه. این دو سیمپیچ رو در لایه های مختلف نپیچید. با هم بپیچید که اگر جفتشون با هم شدن مثلا دو لایه به میزان مساوی از هر دو در هر دو لایه وجود داشته باشه که طول سیمها برابر بشه.

خیر. عمق نفوذ جریان در مس با رابطه تقریبی 76 بر رادیکال فرکانس بدست میاد. اسیلاتور شما با یک خازن 1 نانو و یک مقاومت 22 کیلو راه اندازی شده و در فرکانس 60 کیلو کار میکنه. فرکانس روی ترانس نصف میشه و میشه 30 کیلو. با این رابطه عمق نفوذ جریان در هادی رو محاسبه بکن و ضربدر دو بکن. این حداکثر قطر سیمیه که میتونی استفاده بکنی. سیم از این قطور تر استفاده بکنی داری مس هدر میدی. در این فرکانس جریان از عمق بیشتر از عددی که بدست میاری عبور نمیکنه. از سطح عبور میکنه. با بدست اوردن حداکثر قطر میتونی سطح مقطع رو محاسبه بکنی. از مس بدون وجود شرایط خنک کنندگی میشه ابه ازای هر میلیمتر سطح مقطع چهار امپر جریان عبور داد. با وجود شرایط خنک سازی مختلف میشه تا ده دوازده امپر هم این جریان رو افزایش داد. مثلا با وجود فن روی ترانس میتونید تا شش هفت امپر هم جریان بگذرونید. با بدست اوردن جریان مجاز از سرح مقطع موجود میتونید تشخیص بدید برای جریانی که مد نظر شماست چند عدد از این سیم با این قطر نیاز دارید. یعنی اگر فرکانس رو بالا میبرید باید قطر سیمها باز هم کاهش پیدا بکنه و تعداد سیمهای موازی شده با هم زیاد بشه. در صورتی که دو عدد از قطر سیمی که مد نظر شماست خیلی بیشتر از نیازتون رو تامین میکنه میتونید از قطر سیم کمتر استفاده بکنید. مثلا اگر دو عدد سیم 0.8 چگالی جریان 3 امپر رو بهتون داد و چگالی 4 مد نظرتون بود میتونید از سیمهای نمره پایینتر از 0.8 استفاده بکنید. بهرصورت برای 30 کیلوهرتز از سیم نمره 0.86 بیشتر نمیشه استفاده کرد. من گردش کردم به 0.8

[Samyarjam]

بله. هدف از فاصله هوایی در ا ین ابعاد ذخیره انرژی هستش که اینجا هدف ما نیست. در نوع فلایبک و یا انواع سلف که برای باک و بوست و ... استفاده میشه نیاز به فاصله هوایی بزرگ داریم. اینجا از هسته بدون فاصله هوایی استفاده بکنید. یک لایه چسب نازک هم بینشون بزنید که یه فاصله خیلی مختصر وجود داشته باشه. اگر اسیلوسکوپ داشته باشید با مشاهده جریان ترانس میتونید در فراکانسهای پایین نزدیک به اشباع شدن ترانس رو ببینید. در شرایط بی باری مطلق (ازاد بودن ثانویه) جریان باید بصورت خطی تغییر بکنه. این شیب هرکجا غیر خطی بشه هسته اونجا داره اشباع میشه. با صفر کردن فاصله هوایی اندوکتانس خیلی زیاد میشه و این جریان بیباری خیلی کم میشه.
خیر. اولیه و ثانویه جدای از هم و در لایه های جدای از هم و ترجیحا با یک لایه چسب از همدیگه جدا بشن بهتره. ولی دو سیمپیچ ثانویه و یا دو سیمپیچ اولیه باید تعداد دورشون با هم برابر باشه و بهتره طول سیمشون هم با هم برابر باشه. این دو سیمپیچ رو در لایه های مختلف نپیچید. با هم بپیچید که اگر جفتشون با هم شدن مثلا دو لایه به میزان مساوی از هر دو در هر دو لایه وجود داشته باشه که طول سیمها برابر بشه.

خیر. عمق نفوذ جریان در مس با رابطه تقریبی 76 بر رادیکال فرکانس بدست میاد. اسیلاتور شما با یک خازن 1 نانو و یک مقاومت 22 کیلو راه اندازی شده و در فرکانس 60 کیلو کار میکنه. فرکانس روی ترانس نصف میشه و میشه 30 کیلو. با این رابطه عمق نفوذ جریان در هادی رو محاسبه بکن و ضربدر دو بکن. این حداکثر قطر سیمیه که میتونی استفاده بکنی. سیم از این قطور تر استفاده بکنی داری مس هدر میدی. در این فرکانس جریان از عمق بیشتر از عددی که بدست میاری عبور نمیکنه. از سطح عبور میکنه. با بدست اوردن حداکثر قطر میتونی سطح مقطع رو محاسبه بکنی. از مس بدون وجود شرایط خنک کنندگی میشه ابه ازای هر میلیمتر سطح مقطع چهار امپر جریان عبور داد. با وجود شرایط خنک سازی مختلف میشه تا ده دوازده امپر هم این جریان رو افزایش داد. مثلا با وجود فن روی ترانس میتونید تا شش هفت امپر هم جریان بگذرونید. با بدست اوردن جریان مجاز از سرح مقطع موجود میتونید تشخیص بدید برای جریانی که مد نظر شماست چند عدد از این سیم با این قطر نیاز دارید. یعنی اگر فرکانس رو بالا میبرید باید قطر سیمها باز هم کاهش پیدا بکنه و تعداد سیمهای موازی شده با هم زیاد بشه. در صورتی که دو عدد از قطر سیمی که مد نظر شماست خیلی بیشتر از نیازتون رو تامین میکنه میتونید از قطر سیم کمتر استفاده بکنید. مثلا اگر دو عدد سیم 0.8 چگالی جریان 3 امپر رو بهتون داد و چگالی 4 مد نظرتون بود میتونید از سیمهای نمره پایینتر از 0.8 استفاده بکنید. بهرصورت برای 30 کیلوهرتز از سیم نمره 0.86 بیشتر نمیشه استفاده کرد. من گردش کردم به 0.8

خیلی ممنونم
متوجه هستم که باید اولیه و ثانویه جدای از هم بااشه
منظورم پیچیدن دوثانویه با هم و دو اولیه با هم بود
پس اینجا من یک ۰.۸ یا مثلا دو عدد ۰.۴ به صورت موازی میتونم برای اولیه استفاده کنم
راستی
اگر فیدبک رو ازاد بگذارم که ولتاژ خروجی خیلی بالا میره
درسته؟

[Samyarjam]

درود
در هر دو سیم پیچ اولیه و ثانویه ، از یک لایه سیم ۰.۸ استفاده کردم
هسته با فاصله هوایی صفر
ابتدا اولیه رو موازی هم پیچیدم دقیقا دقیقا به یک مقدار و یک طول(سه دور)
بعد چسب ترانس
بعد ثانویه و باز هم موازی هم و دقیقا دقیقا به مقدار و طول سیم(۱۸ دور)
یک خازن ۱۰ نانو،بین پایه ۱ و گراند گذاشتم
در ولتاژ زیر ۱۰ ولت ،موقع اتصال بار ، همچنان موج گیت بهم ریختس
ولی ولتاژهای بالای ۱۰ ولت،شکل موج پایدار و تقریبا تمیزه
مسئله فقط اینه که الان اختلاف دمای ماسفت ها ، بیشتر شده
و یکی از ماسفت ها فقط کمی گرم و دیگری خیلی داغ میکنه
با وجود اینکه،قطعا الان میدونم ترانس منظم تر پیچیده شده(به علت ضخامت کم سیم ها) و طول سیم ها دقیقا به یک مقدار هست

[Samyarjam]

درود
کمی که جریان کشی مداوم باشه،داغ شدن ماسفت ها سریعتر میشه
و احساس کردم هسته ناگهان مثل حالت فلایبک روو به اشباع میره
دوتا تکه کاغذ بین هسته های ترانس گذاشتم
ولی تاثیری نداشت

[HS1386]

درود
در هر دو سیم پیچ اولیه و ثانویه ، از یک لایه سیم ۰.۸ استفاده کردم
هسته با فاصله هوایی صفر
ابتدا اولیه رو موازی هم پیچیدم دقیقا دقیقا به یک مقدار و یک طول(سه دور)
بعد چسب ترانس
بعد ثانویه و باز هم موازی هم و دقیقا دقیقا به مقدار و طول سیم(۱۸ دور)
یک خازن ۱۰ نانو،بین پایه ۱ و گراند گذاشتم
در ولتاژ زیر ۱۰ ولت ،موقع اتصال بار ، همچنان موج گیت بهم ریختس
ولی ولتاژهای بالای ۱۰ ولت،شکل موج پایدار و تقریبا تمیزه
مسئله فقط اینه که الان اختلاف دمای ماسفت ها ، بیشتر شده
و یکی از ماسفت ها فقط کمی گرم و دیگری خیلی داغ میکنه
با وجود اینکه،قطعا الان میدونم ترانس منظم تر پیچیده شده(به علت ضخامت کم سیم ها) و طول سیم ها دقیقا به یک مقدار هست

اگر بدون خازن ۱۰ نانو هم در ولتاژ بالای ۱۰ ولت شکل موج پایدار میشه، میتونید با اضافه کردن مقاومت بین ۱۰ تا ۳۳ کیلواهم سر راه پایه ۲ ولوم مشکل رو حل کنید.
اما اینکه الان یکی از ماسفت ها بیشتر داغ میکنه دلیل بر نا متعادل بودن سیم پیچی شما هست.
اگر امکان سیم پیچی ثانویه در یک لایه وجود نداشته باشه، یک راه حل، سیم پیچی به شکل ضربدری هست.
البته توضیح دادنش به شکل کلامی سخته.
حالا اولیه رو که در یک لایه و برابر پیچیدید؟

[Samyarjam]

اگر بدون خازن ۱۰ نانو هم در ولتاژ بالای ۱۰ ولت شکل موج پایدار میشه، میتونید با اضافه کردن مقاومت بین ۱۰ تا ۳۳ کیلواهم سر راه پایه ۲ ولوم مشکل رو حل کنید.
اما اینکه الان یکی از ماسفت ها بیشتر داغ میکنه دلیل بر نا متعادل بودن سیم پیچی شما هست.
اگر امکان سیم پیچی ثانویه در یک لایه وجود نداشته باشه، یک راه حل، سیم پیچی به شکل ضربدری هست.
البته توضیح دادنش به شکل کلامی سخته.
حالا اولیه رو که در یک لایه و برابر پیچیدید؟

سپاس
بدون خازن تست میکنم
ینی پایه وسط ولوم را با مقاومتی که فرمودید بدم به پایه ۲ آیسی؟
یا کلا هر انچه در شماتیک به پایه وسط ولوم رفته ، یه مقاومت بینش قرار بگیره؟
چون خازن ۱۰ نانو هم متصل به وسط ولوم هست
سیم پیچ اولیه همونطور که عرض کردم،کاملا به یک مقدار طول سیم،دقیق،منظم و در یک لایه قرار داره
فقط ثانویه چون تعداد دور زیاده،در دولایه روی هم (به وسیله چسب ترانس جدا شدن)قرار گرفته

[Samyarjam]

اگر بدون خازن ۱۰ نانو هم در ولتاژ بالای ۱۰ ولت شکل موج پایدار میشه، میتونید با اضافه کردن مقاومت بین ۱۰ تا ۳۳ کیلواهم سر راه پایه ۲ ولوم مشکل رو حل کنید.
اما اینکه الان یکی از ماسفت ها بیشتر داغ میکنه دلیل بر نا متعادل بودن سیم پیچی شما هست.
اگر امکان سیم پیچی ثانویه در یک لایه وجود نداشته باشه، یک راه حل، سیم پیچی به شکل ضربدری هست.
البته توضیح دادنش به شکل کلامی سخته.
حالا اولیه رو که در یک لایه و برابر پیچیدید؟

جالبه
وقتی خازن ۱۰ نانو بین ۱و گرند برمیدارم
و بار به مدار وصل میشه
صدای قِرقِر و جیک جیک از ترانس میاد

[Samyarjam]

درود
گرمای ماسفت ها تقریبا یکسان شده(نامحسوس اگرم فرق داره)
فقط چیزی شبیه فلایبک باعث سوختن فیوز ورودی مدار میشه
روی ولتاژ ۱۲ ولت،بار رو به صورت ۱۰ میلی ۱۰ میلی بالا بردم
مثلا تا ۱.۳۱ خوبه و ماسفت ها خیلی ملایم گرم میشن
با ۱۰ میلی بعدی ناگهان فیوز ورودی میسوزه و همون موقع ماسفت ها شدیدا داغ شدن
فکر میکنم همون موقع صدای تق ریزی هم از ترانس میاد

[Samyarjam]

درود
این مطلب رو در سایتی خوندم و
گفتم در میان بگذارم و نظرتون رو بپرسم
و سوالی که دارم اینه که «مدار حسگر جریان سرعت بالا»چی هست؟
و مطلب این هست:
توپولوژی یک مشکل اساسی دارد. این مشکل از اینجا ناشی می شود که در عمل هیچ ترانزیستوری را با مشخصات یکسان نمی توان پیدا کرد همچنین دو طرف سیم پیچ سر وسط اولیه دقیقا مشابه هم نیستند. در نتیجه دو طرف سیم پیچ اولیه با سر وسط به یک اندازه توسط سوئیچ های قدرت تحریک نمی شوند و مدت زمان روشنی یا خاموشی یکی از سوئیچ ها اندکی کمتر یا بیشتر از آن یکی می باشد. این شرایط باعث می شود که هسته ترانسفورمر به صورت متقارن حول مبدا منحنی B-H عمل نکند. این عمل باعث می شود که یک طرف سیم پیچ اولیه جریان پیک بالاتری نسبت به طرف دیگر داشته باشد. در نتیجه یک طرف نسبت به طرف دیگر به نقطه اشباع نزدیکتر می شود. این به خودی خود یک مشکل نیست. و مشکل از اینجا شروع می شود که اگر یک افزایش جریان در بار خروجی توسط تقویت کننده خطا حس شود، در این صورت عرض پالس سوئیچ های قدرت افزایش خواهد یافت و این باعث می شود طرفی که به نقطه اشباع نزدیکتر بود، وارد ناحیه اشباع شود. در نتیجه سوئیچ قدرت متصل به آن طرف آسیب خواهد دید.
تنها راه جلوگیری از این مشکل اضافه کردن مدار حسگر جریان سرعت بالا به واحد کنترل می باشد. از آنجایی که تقویت کننده های عملیاتی معمولی قادر به انجام این کار نیستند (سرعت پاسخشان پایین می باشد) بنابراین این قسمت باید توسط قطعات مجزا ساخته شود. این عمل به طور چشمگیری در قیمت نهایی منبع تغذیه تاثیر می گذارد. و باعث می شود توپولوژی پوش-پول یک انتخاب جذاب برای اکثر کاربردها نباشد. بنابراین طراحان باتجربه معمولا استفاده از توپولوژی های نیم پل و تمام پل را بر توپولوژی پوش-پول ترجیح می دهند.